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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110748574.7，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由常苏生;穆天蕾;杨彬设计研发完成，并于2021-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，用以减小半导体器件的漏电流。本申请实施例提供的一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，并在衬底一侧形成第一介电质层；衬底包括阵列区以及位于阵列区之外的周边区；在第一介电质层背离衬底一侧形成初始掩膜图案；对初始掩膜图案至少采用两次图形化工艺，在阵列区形成第一掩膜图案，以及在周边区形成第二掩膜图案，第一掩膜图案具有第一高度，第二掩膜图案具有第二高度，第二高度大于第一高度；其中，每一次图形化工艺均对阵列区和周边区进行曝光。

本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底，并在所述衬底一侧形成第一介电质层；所述衬底包括阵列区以及位于所述阵列区之外的周边区； 在所述第一介电质层上形成初始掩膜图案； 对所述初始掩膜图案至少采用两次图形化工艺，在所述阵列区形成第一掩膜图案，以及在所述周边区形成第二掩膜图案；其中，每一次图形化工艺均对所述阵列区和所述周边区进行曝光； 其中，对所述初始掩膜图案至少采用两次图形化工艺，在所述阵列区形成第一掩膜图案，以及在所述周边区形成第二掩膜图案，具体包括： 采用第一图形化工艺对所述初始掩膜图案进行图形化处理，在所述阵列区形成第一子掩膜图案，同时在所述周边区形成第二子掩膜图案，所述第一子掩膜图案具有第一高度，所述第二子掩膜图案具有第二高度； 采用第二图形化工艺对所述第一子掩膜图案和所述第二子掩膜图案进行图形化处理，在所述阵列区形成具有所述第一高度的所述第一掩膜图案，同时在所述周边区形成所述第二掩膜图案，其中，所述第二掩膜图案包括具有第一平面和第二平面的台阶型结构，所述第一平面具有所述第二高度，所述第二平面具有第三高度，所述第三高度小于所述第二高度。

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