长鑫存储技术有限公司高远皓获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110790535.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由高远皓设计研发完成，并于2021-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的背面刻蚀形成沟槽；在所述沟槽内形成导电层；在所述第一衬底的背面形成延伸进入所述沟槽内的第一导电柱；在所述第一衬底的正面形成器件层，所述器件层包括存储阵列及接触结构；形成贯穿所述器件层并延伸进入所述第一衬底内的第二导电柱；所述第二导电柱和第一导电柱通过所述导电层电连接。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供第一衬底； 在所述第一衬底的背面刻蚀形成沟槽，所述沟槽的结构包括：第一绝缘层、第一扩散阻挡层、铜薄膜层、第二扩散阻挡层和绝缘填充层； 在所述沟槽内形成导电层； 在所述第一衬底的背面形成延伸进入所述沟槽内的第一导电柱； 在所述第一衬底的正面形成器件层，所述器件层包括存储阵列及接触结构； 形成贯穿所述器件层并延伸进入所述第一衬底内的第二导电柱； 所述第一导电柱和所述第二导电柱通过所述导电层电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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