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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211509481.X，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器的制备方法是由邹友生;邹济匡;王芯设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器的制备方法，实现对紫外光高性能、高灵探测，同时兼顾器件稳定性与安全性。本发明通过两步退火工艺，调控CsCu2I3薄膜的晶粒尺寸和结晶性，制备出厚度均匀、粒径均一、结晶性好、无孔洞的CsCu2I3钙钛矿薄膜，并以制备的CsCu2I3钙钛矿薄膜为光响应活性层，构筑垂直结构的紫外光电探测器，并具有自驱动功能。本发明基于钙钛矿溶液加工制备的紫外光电探测器，具有探测率高、开关比大及响应速度快等优势，可实现高性能紫外探测。

本发明授权自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤1，分别用去离子水、异丙醇、丙酮对ITO玻璃进行超声清洗，然后进行干燥和紫外灯辐照； 步骤2，通过旋涂法在ITO玻璃表面旋涂NiCH3COO2并退火，获得NiOx空穴传输层； 步骤3，在反应容器中加入CsI和CuI，之后加入溶剂使其充分溶解形成CsCu2I3前驱体； 步骤4，在NiOx空穴传输层表面滴加CsCu2I3前驱体，并通过旋涂法均匀成膜，成膜过程中滴加反溶剂，之后采用两步退火获得高结晶质量的CsCu2I3薄膜； 步骤5，在CsCu2I3薄膜表面滴加PCBM溶液并旋涂获得PCBM电子传输层； 步骤6，在PCBM电子传输层表面放置掩模版，通过蒸镀法在PCBM表面蒸镀银电极，获得自供电CsCu2I3薄膜紫外光电探测器； 步骤4中CsCu2I3前驱体的用量是35μL，旋涂速度为5000rpm，旋涂时间为35s；反溶剂滴加时间为第6秒至12秒，在退火温度为60℃至80℃时退火1min，然后在退火温度100℃至120℃退火15min。

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