西安电子科技大学任泽阳获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种氢终端金刚石/氧化镓异质横向二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211521460.X，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种氢终端金刚石/氧化镓异质横向二极管及制备方法是由任泽阳;祝子辉;张金风;苏凯;马源辰;杨智清;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氢终端金刚石/氧化镓异质横向二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氢终端金刚石氧化镓异质横向二极管及制备方法，横向二极管包括：金刚石衬底层、n型Ga2O3层、氢终端金刚石表面层、阴极和阳极，其中，所述n型Ga2O3层位于所述金刚石衬底层上的一侧，所述氢终端金刚石表面层位于所述金刚石衬底层上的另一侧，所述阴极位于所述n型Ga2O3层上，所述阳极位于所述氢终端金刚石表面层上。该横向二极管通过异质集成的方法将p型电导金刚石和n型电导Ga2O3结合在一起，制备超宽禁带半导体异质集成准垂直二极管器件，有效解决了金刚石难以实现n型掺杂、氧化镓难以实现p型掺杂的难题，提高了二极管的击穿电压，实现了超宽禁带半导体互补导电器件。
本发明授权一种氢终端金刚石/氧化镓异质横向二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氢终端金刚石氧化镓异质横向二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1、在金刚石衬底层1上制备氢终端金刚石表面层3，并在所述氢终端表面层3上沉积第一保护层31和第二保护层32； S2、腐蚀掉所述第一保护层31和所述第二保护层32的一部分，直至露出部分所述氢终端金刚石表面层3，并待露出的所述氢终端金刚石表面层3退化，露出部分所述金刚石衬底层1； S3、将n型Ga2O3层2转移到露出的所述金刚石衬底层1上； S4、在所述n型Ga2O3层2上制备阴极4； S5、腐蚀掉剩余的所述第一保护层31和所述第二保护层32，露出剩余的所述氢终端金刚石表面层3； S6、在露出的所述氢终端金刚石表面层3上制备阳极5。
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