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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利高亮度Micro-LED阵列芯片、制备方法及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211549176.3，技术领域涉及：H10H20/855；该发明授权高亮度Micro-LED阵列芯片、制备方法及显示装置是由郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;魏帅帅;马后永;马艳红;徐志伟设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本高亮度Micro-LED阵列芯片、制备方法及显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片制备领域，公开了一种高亮度Micro‑LED阵列芯片、制备方法及显示装置，其中，芯片包括：转移基板，以及在转移基板上由下往上依次堆叠的透镜层、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第三导电层以及外延层；以及COMS基板；所述第一导电层、第二导电层、第一绝缘层与第三导电层上具有第一通孔且孔内填充了第一导电层材料；所述外延层包括：若干LED像素单元、第一N电极以及第一P电极；相邻两个LED像素单元之间具有第二通孔，且孔内填充绝缘反射材料；所述CMOS基板上包括：第二N电极以及第二P电极；第二N电极与第一N电极对应相连，第二P电极与第一P电极对应相连。本发明所提供的芯片极大的增加了LED像素单元的出光效率。

本发明授权高亮度Micro-LED阵列芯片、制备方法及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种高亮度Micro-LED阵列芯片，其特征在于，包括： 转移基板，以及在所述转移基板上由下往上依次堆叠的透镜层、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第三导电层以及外延层； 以及COMS基板； 其中，所述第一导电层、第二导电层、第一绝缘层与第三导电层上具有第一通孔，且所述第一通孔贯穿所述第三导电层、第一绝缘层、第二导电层与第一导电层，且所述第一通孔内填充第一导电层材料； 所述外延层包括：若干LED像素单元、第一N电极以及第一P电极； 其中，每个LED像素单元均包括自所述转移基板由下往上依次堆叠的P型外延层、发光层和N型外延层；其中，相邻两个LED像素单元之间具有第二通孔，所述第二通孔贯穿所述P型外延层、发光层和N型外延层，且所述第二通孔内填充绝缘反射材料；所述第一N电极位于所述P型外延层一侧的LED像素单元上；所述第一P电极位于所述外延层边缘； 所述CMOS基板上包括：第二N电极以及第二P电极； 所述第二N电极与所述第一N电极对应相连，所述第二P电极与所述第一P电极对应相连。

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