长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111020119.1，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由王晓光;曾定桂;李辉辉;曹堪宇设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制造方法，包括衬底，衬底上形成有呈对齐排列的多个垂直晶体管，垂直晶体管的沟道材料包括氧化物半导体，在垂直晶体管上形成有与垂直晶体管的上端连接的多个呈交错排列的接触垫，单个接触垫与偶数个垂直晶体管的上端相连，接触垫上方形成有磁性隧道结。这样，多个晶体管与单个磁性隧道结结合，利用多个晶体管驱动一个磁性隧道结，增大驱动磁性隧道结的驱动电流，有效驱动磁性随机存储器的存储阵列。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底上呈对齐排列的多个垂直晶体管，所述垂直晶体管的沟道材料包括氧化物半导体； 与所述垂直晶体管上端连接的多个呈交错排列的接触垫，其中，单个所述接触垫与偶数个所述垂直晶体管的上端相连； 位于所述接触垫上方的磁性隧道结； 多个间隔排布的字线，与单个所述接触垫相连的所述多个垂直晶体管分别与至少两个字线相连。
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