厦门市三安集成电路有限公司王旺平获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863405B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211691194.5，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件是由王旺平;谭杰利;徐江石设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件，涉及半导体技术领域。本申请提供的欧姆接触结构的制备方法，包括：提供待制备欧姆接触金属电极的外延片，真空环境中在外延片对应电极的位置处依次蒸镀粘附层和覆盖层；将蒸镀有粘附层和覆盖层的外延片暴露在大气中以使覆盖层表面的金属材料氧化形成阻挡层；真空环境中在阻挡层上依次蒸镀连接层和保护层；将形成有连接层和保护层的外延片在500‑600℃的环境中退火处理。本申请提供的欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件，能够在低温环境下制备出表面光滑、且膜层较厚的欧姆接触结构。
本发明授权一种欧姆接触结构及其制备方法、HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括； 提供待制备欧姆接触金属电极的外延片； 真空环境中在所述外延片对应电极的位置处依次蒸镀粘附层和覆盖层； 将蒸镀有所述粘附层和所述覆盖层的外延片暴露在大气中以使覆盖层表面的金属材料氧化形成阻挡层； 真空环境中在所述阻挡层上依次蒸镀连接层和保护层； 将形成所述连接层和所述保护层的外延片在500-600℃的环境中退火处理。
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