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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111150240.6，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由刘志拯设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括提供基底，基底上具有相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面上形成第一介质层；在第一介质成内形成多个电容器结构，其中，多个电容器结构合围成排除区域；在第二表面上形成硅通孔结构，沿第一方向，硅通孔结构的一端贯穿基底和排除区域后并与多个电容器结构电连接。本公开中通过形成多个环绕硅通孔结构设置的电容器结构，从而有效吸收在形成硅通孔结构时所产生的扩散应力，对硅通孔结构进行保护，进而提高了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括： 提供基底，所述基底上具有相对设置的第一表面和第二表面； 在所述第一表面上形成第一介质层； 在所述第一介质成内形成多个电容器结构，其中，多个所述电容器结构合围成排除区域； 在所述第二表面上形成硅通孔结构，沿第一方向，所述硅通孔结构的一端贯穿所述基底和所述排除区域后并与多个所述电容器结构电连接，其中，所述电容器结构包括依次形成的，下电极，高K介质层和上电极； 还包括： 在所述上电极表面形成第二介质层，所述第二介质层与所述第一介质层平齐； 在所述第二介质层中形成通孔，所述通孔底部暴露出所述上电极； 在所述通孔内形成导电接触垫，所述导电接触垫连接所述上电极； 在所述第一介质层和所述第二介质层上形成导电连接线，所述导电连接线电连接多个所述电容器结构和所述硅通孔结构； 其中，在所述第一介质层和所述第二介质层上形成导电连接线中，包括： 在所述第一介质层和所述第二介质层上形成第一沟槽，所述第一沟槽的底面暴露出所述导电接触垫的顶面和所述硅通孔结构的顶面； 在所述第一沟槽内形成导电连接线，所述导电连接线的顶面与所述第一介质层的顶面平齐； 其中，在所述第一介质层和所述第二介质层上形成第一沟槽，所述第一沟槽的底面暴露出所述导电接触垫的顶面中，包括： 在所述第一介质层和所述第二介质层上形成环形沟槽，所述环形沟槽的底部暴露出所述导电接触垫的顶面； 在所述第一介质层和所述第二介质层上形成直线沟槽，所述直线沟槽的两端与所述环形沟槽连通，所述直线沟槽暴露出所述硅通孔结构的顶面，其中，所述环形沟槽和所述直线沟槽形成所述第一沟槽。

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