长鑫存储技术有限公司梅晓波获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115884593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211486292.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由梅晓波;邓放心;周震;吕嘉伟设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底包括多个分立的有源区以及位于相邻有源区之间的隔离结构，基底包括沿第一方向延伸的字线区；形成缓冲块以及填充层，其中，缓冲块位于字线区的相邻的有源区之间的部分隔离结构上，且缓冲块与相邻的有源区相间隔，填充层位于基底上，且填充相邻缓冲块之间的区域；采用干法刻蚀工艺，刻蚀字线区的填充层、缓冲块、隔离结构以及有源区，以形成字线凹槽，其中，字线区中，与填充层正对的隔离结构表面先于与缓冲层正对的隔离结构表面暴露在干法刻蚀工艺的环境中；形成填充字线凹槽的字线结构。至少可以提高字线对有源区内沟道的控制能力。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括多个分立的有源区以及位于相邻所述有源区之间的隔离结构，所述基底包括沿第一方向延伸的字线区； 形成缓冲块以及填充层，其中，所述缓冲块位于所述字线区的相邻的所述有源区之间的部分所述隔离结构上，且所述缓冲块与相邻的所述有源区相间隔，所述填充层位于所述基底上，且填充相邻所述缓冲块之间的区域； 采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述字线区的所述填充层、所述缓冲块、所述隔离结构以及所述有源区，以形成字线凹槽，其中，所述字线区中，与所述填充层正对的隔离结构表面先于与所述缓冲块正对的所述隔离结构表面暴露在所述干法刻蚀工艺的环境中； 形成填充所述字线凹槽的字线结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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