美光科技公司F·G·特里维迪获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利选择栅极可靠性获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211582973.1，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权选择栅极可靠性是由F·G·特里维迪设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本选择栅极可靠性在说明书摘要公布了：本申请案涉及选择栅极可靠性。一种方法包含确定存储器串的选择栅极的经编程阈值电压，以及基于所述经编程阈值电压向所述选择栅极指派经编程可靠性等级。所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据和或冷数据可编程到所述存储器串。所述方法进一步包含将质量特性计数递增到第一校验电压值，在所述第一校验电压值下确定所述选择栅极的第一经校验阈值电压，以及基于所述第一经校验阈值电压向所述选择栅极指派第一可靠性等级。所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者可编程到所述存储器串。
本发明授权选择栅极可靠性在权利要求书中公布了：1.一种用于选择栅极可靠性的方法，其包括： 确定存储器串的选择栅极的经编程阈值电压； 基于所述经编程阈值电压向所述选择栅极指派经编程可靠性等级，其中所述经编程可靠性等级指示热数据、温数据或冷数据或其任何组合能够编程到所述存储器串； 将质量特性计数递增到第一校验电压值； 在所述第一校验电压值下确定所述选择栅极的第一经校验阈值电压；以及 基于所述第一经校验阈值电压向所述选择栅极指派第一可靠性等级，其中所述第一可靠性等级指示所述温数据或所述冷数据或这两者能够编程到所述存储器串。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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