武汉理工大学张鹏超获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种自支撑超薄聚合物膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116478433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310342279.0，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种自支撑超薄聚合物膜的制备方法是由张鹏超;程莎;侯大军;欧阳孝智;陈文设计研发完成，并于2023-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自支撑超薄聚合物膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种自支撑超薄聚合物膜的制备方法，包括如下步骤：S1，制备树枝状、且两条微通道出口之间的夹角为锐角的微流控芯片；S2，向微流控芯片中连续供给聚合物溶液，聚合物溶液在通过微流控芯片的出口后产生连续性层流；将形成的连续性层流在凝固浴中进行固化，得到超薄聚合物膜。综上，本发明可以简捷地实现聚合物薄膜的连续性层流流动，制备出自支撑聚合物薄膜，薄膜均匀性好，厚度可以为几个微米甚至为纳米尺度。
本发明授权一种自支撑超薄聚合物膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自支撑超薄聚合物膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，制备树枝状、且两条微通道出口之间的夹角为锐角的微流控芯片； S2，向所述微流控芯片中连续供给聚合物溶液，聚合物溶液在通过微流控芯片的出口后产生连续性层流；连续性层流在凝固浴中进行固化，固化后得到超薄聚合物膜； 树枝状的所述微流控芯片中，形成多级分流结构，分流结构设置4级； 所述微流控芯片的每个微通道的高度为25-100μm； 所述聚合物溶液的供给流速为150-500μLmin； 所述聚合物溶液的质量浓度范围为0.1-25wt％。
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