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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种p型氧化镓薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116884829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310793238.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种p型氧化镓薄膜及其制备方法是由刘兴林;魏强民;黄俊;杨冰设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种p型氧化镓薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种p型氧化镓薄膜及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该制备方法包括以下步骤：在预先清洁的β‑Ga2O3衬底上生长金属M掺杂的β‑MxGa1‑x2O30.01≤x≤0.15薄膜；所述金属M为Ir或Cu；将所述β‑MxGa1‑x2O3薄膜在缺氧环境下退火处理，然后采用含氮的具有氧化性的超临界流体处理，得到所述p型氧化镓薄膜。通过该方法能够有效地调整氧化镓价带顶的能量与带宽以及价带顶高度，同时降低价带顶中空穴的有效质量，并能提高氮的有效掺杂浓度和降低No的电离能，从而实现制备高质量的p型氧化镓薄膜。

本发明授权一种p型氧化镓薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p型氧化镓薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在预先清洁的β-Ga2O3衬底上生长金属M掺杂的β-MxGa1-x2O3薄膜；其中0.01≤x≤0.15，所述金属M为Ir或Cu； S2、将所述β-MxGa1-x2O3薄膜在缺氧环境下退火处理，得到含有氧空位的β-MxGa1-x2O3薄膜； S3、采用含氮的具有氧化性的超临界流体处理所述含有氧空位的β-MxGa1-x2O3薄膜，得到氮重掺杂的β-MxGa1-x2O3薄膜，即为所述p型氧化镓薄膜；所述含氮的具有氧化性的超临界流体为NO或N2O；所述含氮的具有氧化性的超临界流体为N2O时，处理方法如下：将N2O转变成超临界流体状态引入放置有β-MxGa1-x2O3薄膜的密封腔室内，在120℃～200℃、压强≥7.26MPa的条件下处理60～90min；所述含氮的具有氧化性的超临界流体为NO时，处理方法如下：将NO转变成超临界流体状态引入放置有β-MxGa1-x2O3薄膜的密封腔室内，在室温下、压强≥0.66MPa的条件下处理60min。

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