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龙图腾网获悉中山芯承半导体有限公司申请的专利一种封装基板表面焊接用的凸点制作方法和封装基板以及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118714757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410682684.1，技术领域涉及：H05K3/34；该发明授权一种封装基板表面焊接用的凸点制作方法和封装基板以及封装结构是由谷新设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装基板表面焊接用的凸点制作方法和封装基板以及封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装基板表面焊接用的凸点制作方法和封装基板以及封装结构，凸点制作方法包括以下步骤：首先，对已完成阻焊层制作的基板进行镀镍钯金处理；然后在基板正面形成与芯片C4区大小匹配的第一阻焊开窗，并贴附第一干膜进行曝光显影处理；接着对开窗区域的铜层进行蚀刻减薄；之后褪膜并再次贴附第二干膜进行曝光显影处理，并在减薄后铜层上电镀导电凸点结构；最后对基板进行棕化或黑化工艺处理形成保护膜。本案方法适合需要在基板C4区进行凸点制作的高性能芯片封装用的基板，其凸点直径和节距相对于传统基板大大减小，能够实现更多更高密度的互联。而且所制作的凸点区无阻焊存在，无阻焊层的阻碍，有利于封装底部填充胶的流动和填充。

本发明授权一种封装基板表面焊接用的凸点制作方法和封装基板以及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装基板表面焊接用的凸点制作方法，其特征在于包括如下步骤： 步骤A、提供一已完成阻焊层制作的基板，并在基板的背面导体线路层2400表面对应的阻焊开口2411处铜面进行镀镍钯金处理；在基板正面C4区形成一个与芯片C4区大小匹配的第一阻焊开窗2111； 步骤B、在基板正背面两面贴第一干膜2120，其中在第一阻焊开窗2111区域不贴第一干膜2120； 对基板进行曝光显影处理，以使第一阻焊开窗2111区域的铜层外露于表面，其他区域被第一干膜2120覆盖； 步骤C、对第一阻焊开窗2111区域中外露于表面的铜层进行蚀刻，以将外露于表面的铜层减薄，形成减薄后铜层2121；其中，所述减薄后铜层2121通过基板内部的层间导通孔2000与背面导体线路层2400导通； 步骤D、对第一干膜2120进行褪膜处理； 步骤E、在基板表面贴第二干膜2130，并进行曝光显影处理，在减薄后铜层2121表面形成干膜开窗2131；其中所述第二干膜2130在干膜开窗2131对应设有开口，以使干膜开窗2131区域的减薄后铜层2121外露于表面，其他区域被第二干膜2130覆盖； 步骤F、在减薄后铜层2121对应的干膜开窗2131处电镀导电凸点结构213，所述导电凸点结构213为铜惰性金属结构； 步骤G、对第二干膜2130进行褪膜处理； 步骤H、对基板进行棕化或黑化工艺处理，以在导电凸点结构213侧面形成一层铜的氧化物保护膜2134； 其中，所述第一干膜2120为感光型干膜，所述第二干膜2130为高分辨率干膜。

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