长鑫存储技术有限公司付友获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118714842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310266365.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制造方法、存储器是由付友;吴双双;刘志拯;李宗翰设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括基底和位于基底内的沟槽以及位于沟槽内并延伸至基底上方的堆叠层，其中，堆叠层包括至少两个电极层和位于相邻的电极层之间的介电层。半导体结构还包括电连接一个电极层的接触部，其中，在垂直于基底所在平面的方向上，接触部的投影位于相邻的沟槽的投影之间。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底和位于所述基底内的沟槽； 位于所述沟槽内并延伸至所述基底上方的堆叠层；所述堆叠层包括第一电极层、第二电极层、第三电极层和位于相邻的所述电极层之间的介电层； 接触部，所述接触部电连接一个所述电极层，与所述第一电极层连接的所述接触部为第一接触部，与所述第二电极层连接的所述接触部为第二接触部，与所述三电极层连接的所述接触部为第三接触部，多个所述第一接触部排布成至少一个第一接触部行，多个所述第二接触部排布成至少一个第二接触部行，多个所述第三接触部排布成至少一个第三接触部行，一个第一接触部行与两个第三接触部行相邻或者一个第三接触部行与两个第一接触部行相邻，在垂直于所述基底所在平面的方向上，所述接触部的投影位于相邻的所述沟槽的投影之间。
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