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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118714844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310275779.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由刘翔设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括半导体层，具有沿第一方向延伸的第一隔离槽及沿第二方向延伸的第二隔离槽；第一隔离槽在半导体层中隔离出多个沿第二方向间隔排布的半导体条；第二隔离槽在半导体条中隔离出多个沿第一方向间隔排布的半导体柱；多个沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的位线；位线位于对应半导体条的底面；以及多个沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布的字线；字线位于对应的第二隔离槽内；多个字线与多个半导体柱在第一方向上交替排列，且位于同一个半导体柱相对的两侧壁上的两个字线在半导体柱的延伸方向上错位设置，共同构成对应半导体柱的控制字线。该半导体结构可缩小器件体积，降低制备工艺难度。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体层，具有沿第一方向延伸的第一隔离槽及沿第二方向延伸的第二隔离槽；所述第一隔离槽的深度大于所述第二隔离槽的深度；所述第二方向与所述第一方向相交；所述第一隔离槽在所述半导体层中隔离出多个沿所述第二方向间隔排布的半导体条；所述第二隔离槽在所述半导体条中隔离出多个沿所述第一方向间隔排布的半导体柱； 多个沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排布的位线；所述位线位于对应所述半导体条的底面； 以及，多个沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布的字线；所述字线位于对应的所述第二隔离槽内； 其中，多个所述字线与多个所述半导体柱在所述第一方向上交替排列，且位于同一个所述半导体柱相对的两侧壁上的两个所述字线在所述半导体柱的延伸方向上错位设置，并共同构成对应所述半导体柱的控制字线； 在对应于同一个所述半导体柱的两个所述字线中，靠近所述第二隔离槽底部的所述字线为第一字线，远离所述第二隔离槽底部的所述字线为第二字线；其中，所述第一字线的顶面平齐于所述第二字线的底面或低于所述第二字线的底面。

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