长鑫存储技术有限公司薛兴坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118899220B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310466023.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由薛兴坤;李泽伦;刘晓阳;徐汉东;朴仁鎬;李辉;顾婷婷设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决晶体管的源漏极与沟道的接触电阻大的技术问题，该制备方法通过在第一子源极和第一子漏极的部分主表面上形成IGZO层，且IGZO层覆盖第一子源极和第一子漏极之间的区域，之后在IGZO层上形成栅极，第一子源极和第一子漏极分别位于栅极的相对两侧，并在栅极相对两侧的IGZO层的至少部分主表面上分别形成第二子源极和第二子漏极，第二子源极和第一子源极位于同一侧且与第一子源极连接，以共同形成源极，第二子漏极和第一子漏极位于同一侧且与第一子漏极连接，以共同形成漏极，从而增大源极和漏极分别与IGZO层的接触面积，降低接触电阻，提升半导体器件的性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有间隔设置的第一子源极和第一子漏极； 在所述第一子源极和所述第一子漏极的部分主表面上形成IGZO层，且IGZO层覆盖所述第一子源极和所述第一子漏极之间的区域； 在所述IGZO层的上方形成栅极，所述第一子源极和所述第一子漏极分别位于所述栅极的相对两侧； 在所述栅极相对两侧的所述IGZO层的至少部分主表面上分别形成第二子源极和第二子漏极，所述第二子源极和所述第一子源极位于同一侧且与所述第一子源极连接，以共同形成源极；所述第二子漏极和所述第一子漏极位于同一侧且与所述第一子漏极连接，以共同形成漏极； 其中，所述源极、所述漏极、所述栅极和所述IGZO层共同形成IGZO晶体管。
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