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西安电子科技大学洪涛获国家专利权

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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种双通带低频通带独立可调谐频率选择表面获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119209022B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411576877.5,技术领域涉及:H01Q15/00;该发明授权一种双通带低频通带独立可调谐频率选择表面是由洪涛;王志强;张喆荀;魏昆;姜文设计研发完成,并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

一种双通带低频通带独立可调谐频率选择表面在说明书摘要公布了:本发明为一种双通带低频通带独立可调谐频率选择表面,金属柱穿过十字结构金属层连接上双通带金属层和下双通带金属层,形成多层级联结构展宽带宽并调整通带内特性,上双通带金属层与下双通带金属层包括外金属框和外金属框中的四条枝节,每条枝节上设置一个变容二极管,枝节的侧边向外金属框延伸和或外金属框向枝节的侧边延伸,形成第一缝隙;当通过金属柱进行直流馈电时,变容二极管提供第一电容,第一缝隙提供第二电容,且第一电容大于第二电容,第一电容用于控制低频通带,第二电容用于控制高频通带;当变容二极管两端施加不同直流电压时,低频通带发生移动,高频通带保持不变,实现对低频通带的独立调谐。

本发明授权一种双通带低频通带独立可调谐频率选择表面在权利要求书中公布了:1.一种双通带低频通带独立可调谐频率选择表面,包括自上而下的上双通带金属层12、十字结构金属层17和下双通带金属层15,所述上双通带金属层12与下双通带金属层15结构相同,均具有双极化特性;金属柱16穿过十字结构金属层17连接上双通带金属层12和下双通带金属层15,形成多层级联结构展宽带宽并调整通带内特性,其特征在于: 所述上双通带金属层12与下双通带金属层15包括外金属框111和外金属框111中的四条枝节,每条枝节上设置一个变容二极管11,所述枝节的侧边向外金属框111延伸,和或,所述外金属框111向枝节的侧边延伸,形成第一缝隙112; 当通过所述金属柱16进行直流馈电时,所述变容二极管11用于提供第一电容,所述第一缝隙112用于提供第二电容,且所述第一电容大于所述第二电容,所述第一电容用于控制低频通带,所述第二电容用于控制高频通带; 当变容二极管11两端施加不同直流电压时,低频通带发生移动,高频通带保持不变,实现对低频通带的独立调谐。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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