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合肥芯胜半导体有限公司郭宏娜获国家专利权

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龙图腾网获悉合肥芯胜半导体有限公司申请的专利光电导材料及其制备方法、太赫兹波发生器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120601231B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511072240.7,技术领域涉及:H01S1/02;该发明授权光电导材料及其制备方法、太赫兹波发生器是由郭宏娜设计研发完成,并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

光电导材料及其制备方法、太赫兹波发生器在说明书摘要公布了:本发明提供了一种光电导材料及其制备方法、太赫兹波发生器,属于光电技术领域。该光电导材料包括:衬底;缓冲层,覆盖于衬底的上表面;掺杂层,覆盖于缓冲层的上表面,包括由掺杂型CdTe:In层和掺杂型InSb:Be层交替形成的多组交替层,掺杂型CdTe:In层覆盖于缓冲层的上表面上。本发明使用前述的掺杂层能够使用波长较宽的光纤激光发射器做激发源,且前述掺杂层的有效质量更小,迁移率更高,能够提高后续集成器件的功率。

本发明授权光电导材料及其制备方法、太赫兹波发生器在权利要求书中公布了:1.一种光电导材料,其特征在于,包括: 衬底; 缓冲层,覆盖于所述衬底的上表面; 掺杂层,覆盖于所述缓冲层的上表面,包括由掺杂型CdTe:In层和掺杂型InSb:Be层交替形成的多组交替层, 其中,掺杂型CdTe:In层覆盖于所述缓冲层的上表面上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥芯胜半导体有限公司,其通讯地址为:238000 安徽省合肥市巢湖市巢湖经济开发区半汤湖生态科创城产业发展中心3号厂房;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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