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龙图腾网获悉湖北芯擎科技有限公司申请的专利SRAM连接性验证方法、装置、设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120611674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511126434.0，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权SRAM连接性验证方法、装置、设备及可读存储介质是由游青;康业全;胡涛设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM连接性验证方法、装置、设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：一种SRAM连接性验证方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：从SoC的设计文档中提取有效信息并记录在标准化中间文件中；在进行RTL仿真前，检测所述标准化中间文件是否有误；若所述标准化中间文件无误，则基于所述标准化中间文件生成每个子系统的测试用例以供对每个子系统中的SRAM进行连接性验证。通过本申请，在进行RTL仿真前确保了标准化中间文件的正确性即确保了设计文档的正确性，避免了后期仿真后才发现问题，导致验证滞后、增加验证时长；基于无误的标准化中间文件自动生成测试用例，减少了人工操作；综合而言，提高了SRAM连接性验证效率。

本发明授权SRAM连接性验证方法、装置、设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种SRAM连接性验证方法，其特征在于，所述SRAM连接性验证方法包括： 从系统级芯片SoC的设计文档中提取有效信息，并将所述有效信息记录在标准化中间文件中，所述有效信息包括所述SoC上每个子系统里SRAM的类型信息以及每个SRAM在整个SoC上的层次结构信息； 在进行RTL仿真前，检测所述标准化中间文件是否有误； 若所述标准化中间文件无误，则基于所述标准化中间文件生成每个子系统的测试用例； 基于每个子系统的测试用例对每个子系统中的SRAM进行连接性验证； 所述检测所述标准化中间文件是否有误包括： 根据所述标准化中间文件中记录的有效信息确定第一信息，所述第一信息包括每种类型的SRAM在每个层次结构的数量； 根据所述设计文档确定第二信息，所述第二信息包括每种类型的SRAM在每个层次结构的数量； 若第一信息与第二信息一致，则将标准化中间文件中记录的每条层次结构信息与SoC顶层层次信息拼接，得到每条新的层次结构信息； 检测每条新的层次结构信息是否均存在于RTL代码； 若是，则确定所述标准化中间文件无误。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北芯擎科技有限公司，其通讯地址为：430056 湖北省武汉市经济技术开发区南太子湖创新谷启迪协信科创园F4304；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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