重庆云潼科技有限公司蒋开悦获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种MOS管软开关驱动电路及H桥驱动电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223462929U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422742715.6,技术领域涉及:H02M1/08;该实用新型一种MOS管软开关驱动电路及H桥驱动电路是由蒋开悦;黄晓意;胡绍国;廖光朝设计研发完成,并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS管软开关驱动电路及H桥驱动电路在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种MOS管软开关驱动电路及H桥驱动电路,该电路被配置有开关SW、三极管U和电容C;所述开关SW的一端作为驱动电路的输入端,用于电源VCC接入;所述开关SW的另一端接所述三极管U的基极,所述三极管U的集电极接所述电容C的第一极板及第二极板;所述电容C的第一极板还接所述开关SW作为驱动电路的输入端的一端,并作为驱动电路的第一输出端,第二极板作为驱动电路的第二输出端;第一输出端、第二输出端用于接MOS管。本实用新型所提供的驱动电路利用电容的充放电过程实现了MOS管的软开关,有效地避免了MOS管开关过程中由于电流和电压的急剧变化而产生的高频谐波和尖峰电压,减少了MOS管开关损耗,延长了开关器件的使用寿命。
本实用新型一种MOS管软开关驱动电路及H桥驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种MOS管软开关驱动电路,其特征在于,该电路被配置有开关SW、三极管U和电容C; 所述开关SW的一端作为驱动电路的输入端,用于电源VCC接入;所述开关SW的另一端接所述三极管U的基极,所述三极管U的集电极接所述电容C的第一极板及第二极板;所述电容C的第一极板还接所述开关SW作为驱动电路的输入端的一端,并作为驱动电路的第一输出端,第二极板作为驱动电路的第二输出端;第一输出端、第二输出端用于接MOS管。
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