泰科天润半导体科技(北京)有限公司何佳获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种耐高压平面栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463256U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422744672.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种耐高压平面栅碳化硅VDMOS是由何佳;施广彦;李昀佶;陈彤;张长沙设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐高压平面栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种耐高压平面栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；漂移层上设有一凹槽，凹槽两侧的漂移层内设有多个P区；均流层设于凹槽内，均流层下侧面连接至漂移层；P型阱区设于凹槽内，P型阱区分别连接漂移层以及均流层；P型阱区内设有P型源区以及N型源区，P型源区连接至N型源区；栅介质层下侧面分别连接均流层以及P型阱区；栅极金属层连接至栅介质层；源极金属层分别连接P型源区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面，抑制器件的曲率效应，提高器件的耐压能力。
本实用新型一种耐高压平面栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种耐高压平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有一凹槽，所述凹槽两侧的漂移层内设有多个P区； 均流层，所述均流层设于所述凹槽内，所述均流层下侧面连接至所述漂移层； P型阱区，所述P型阱区设于所述凹槽内，所述P型阱区分别连接所述漂移层以及均流层；所述P型阱区内设有P型源区以及N型源区，所述P型源区连接至所述N型源区； 栅介质层，所述栅介质层下侧面分别连接所述均流层以及P型阱区； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层； 源极金属层，所述源极金属层分别连接P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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