深圳市晶相技术有限公司;深圳市辰中科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司陈卫军获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市晶相技术有限公司;深圳市辰中科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司申请的专利一种半导体结构、垂直型半导体器件及水平型半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463257U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422079234.1，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种半导体结构、垂直型半导体器件及水平型半导体器件是由陈卫军;郭炳磊;欧阳增图设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构、垂直型半导体器件及水平型半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体结构、垂直型半导体器件及水平型半导体器件，属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括：衬底；第一缓冲层，设置在所述衬底上；第二缓冲层，设置在所述第一缓冲层上；多孔应力释放层，设置在所述第二缓冲层上；第一半导体层，设置在所述多孔应力释放层上，且所述第一半导体层无应力；以及第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，且所述第二半导体层无应力。通过本实用新型提供的一种半导体结构、垂直型半导体器件及水平型半导体器件，可提高半导体器件的性能。
本实用新型一种半导体结构、垂直型半导体器件及水平型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括： 衬底； 第一缓冲层，设置在所述衬底上； 第二缓冲层，设置在所述第一缓冲层上； 多孔应力释放层，设置在所述第二缓冲层上； 第一半导体层，设置在所述多孔应力释放层上，且所述第一半导体层无应力；以及 第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，且所述第二半导体层无应力。
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