台湾积体电路制造股份有限公司苏子昂获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463260U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422555391.5，技术领域涉及：H10D84/40；该实用新型半导体装置是由苏子昂;李振铭;李明轩设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型实施例提供了包括二极管的半导体装置。二极管包括P型区域、N型区域以及未掺杂本征区。第一导电接点和第二导电接点中的每一者设置在二极管的第一侧上方。第一导电接点从第一侧电耦合至P型区域。第二导电接点从第一侧电耦合至N型区域。第一导通孔和第二导通孔中的每一者设置在二极管的第二侧上方。第二侧与第一侧不同。第一导通孔从第二侧电耦合至P型区域。第二导通孔从第二侧电耦合至N型区域。第一导电接点电耦合至第一导通孔。第二导电接点电耦合至第二导通孔。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 二极管，包括P型区域、N型区域以及设置在所述P型区域与所述N型区域之间的未掺杂本征区； 第一导电接点和第二导电接点，每一者设置在所述二极管的第一侧上方，其中所述第一导电接点从所述第一侧电耦合至所述P型区域，并且其中所述第二导电接点从所述第一侧电耦合至所述N型区域；以及 第一导通孔和第二导通孔，每一者设置在所述二极管的第二侧上方，其中所述第二侧与所述第一侧不同，其中所述第一导通孔从所述第二侧电耦合至所述P型区域，并且其中所述第二导通孔从所述第二侧电耦合至所述N型区域； 其中： 所述第一导电接点电耦合至所述第一导通孔；以及 所述第二导电接点电耦合至所述第二导通孔。
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