晶澳(扬州)太阳能科技有限公司张俊兵获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉晶澳(扬州)太阳能科技有限公司申请的专利一种背接触太阳能电池获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223463263U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422682956.6,技术领域涉及:H10F10/14;该实用新型一种背接触太阳能电池是由张俊兵;陈斌;王凯设计研发完成,并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触太阳能电池在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种背接触太阳能电池,涉及太阳能电池制造技术领域,该背接触太阳能电池包括:硅基体;硅基体第一主表面的第一区域由内至外层叠设置的第一载流子收集层、重掺杂层和第二载流子收集层;第一载流子收集层的掺杂类型与重掺杂层的掺杂类型相反;硅基体第一主表面的第二区域设置的第二载流子收集层;第一区域与第二区域之间具有间隔区域,第二载流子收集层的掺杂类型与第一载流子收集层的掺杂类型相反。该实施方式通过在第一区域设置重掺杂层,同时实现了第一载流子收集层与重掺杂层、以及重掺杂层与第二载流子收集层之间的电流导通。同时简化了工艺制程,降低激光损伤,有效提高了太阳能电池的光电转化效率。
本实用新型一种背接触太阳能电池在权利要求书中公布了:1.一种背接触太阳能电池,其特征在于,包括: 硅基体1; 所述硅基体1第一主表面的第一区域11由内至外层叠设置的第一载流子收集层2、重掺杂层3和第二载流子收集层4;其中,所述第一载流子收集层2的掺杂类型与所述重掺杂层3的掺杂类型相反; 所述硅基体1第一主表面的第二区域12设置的第二载流子收集层4; 其中,所述第一区域11与所述第二区域12之间具有间隔区域13,所述第二载流子收集层4的掺杂类型与所述第一载流子收集层2的掺杂类型相反。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人晶澳(扬州)太阳能科技有限公司,其通讯地址为:225131 江苏省扬州市经济开发区金辉路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励