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龙图腾网获悉和光同程光伏科技(宜宾)有限公司申请的专利具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463291U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422366299.4，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池是由袁正国;谢毅;沈文忠;马胜;李正平;丁冬设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池在说明书摘要公布了：本发明公开了具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池，属于晶硅太阳电池技术领域，包括n型晶硅衬底、p＋发射极层、氮化硅减反射层、多个开槽、多个金属电极结构、第二隧穿氧化层、n＋多晶硅层、氮化硅钝化层、多个Ag电极，本申请的TOPCon太阳电池正面设置了选择性钝化接触结构，既保证了金属接触区域的低接触电阻率，又避免了非金属接触区域的寄生吸光损失，能够提高电池的短路电流密度和填充因子，并且本申请的背面同样设置了选择性钝化接触结构，可维持金属接触区域的低接触电阻率，降低非金属接触区域的寄生吸光损失，能够提高电池的短路电流密度，电池的开路电压保持不变。

本实用新型具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池在权利要求书中公布了：1.具有选择性钝化接触结构的TOPCon太阳电池，其特征在于，包括： n型晶硅衬底1； p＋发射极层2；p＋发射极层2设置在n型晶硅衬底1的顶面上； 氧化铝钝化层3；氧化铝钝化层3设置在p＋发射极层2上； 氮化硅减反射层4；氮化硅减反射层4设置在氧化铝钝化层3上； 至少一个开槽；开槽贯穿氧化铝钝化层3和氮化硅减反射层4设置，开槽的槽底为p＋发射极层2的顶面； 至少一个金属电极结构；一个金属电极结构设置在一个开槽中，金属电极结构包括第一隧穿氧化层5、p＋多晶硅层6和AgAl电极7，第一隧穿氧化层5设置在p＋发射极层2上，p＋多晶硅层6设置在第一隧穿氧化层5上，AgAl电极7设置在p＋多晶硅层6上； 第二隧穿氧化层8；第二隧穿氧化层8设置在n型晶硅衬底1的底面； n＋多晶硅层9；n＋多晶硅层9设置在第二隧穿氧化层8底面，n＋多晶硅层9底面设置有至少一个凸起端10； 氮化硅钝化层11；氮化硅钝化层11铺设在n＋多晶硅层9底面，氮化硅钝化层11覆盖凸起端10； 至少一个Ag电极12；一个Ag电极12穿过氮化硅钝化层11与一个凸起端10连接。

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