北京平头哥信息技术有限公司胡勇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京平头哥信息技术有限公司申请的专利一种堆叠电路结构和集成电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223463316U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421672372.4，技术领域涉及：H10N97/00；该实用新型一种堆叠电路结构和集成电路是由胡勇;马超;陈彦斌;范文锴设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种堆叠电路结构和集成电路在说明书摘要公布了：本实用新型实施例公开了一种堆叠电路结构和集成电路，本实用新型实施例通过在堆叠电路结构中形成磁通孔，并在磁通孔中形成金属通孔，以使得金属通孔围绕磁性材料层，从而在堆叠电路结构的通孔结构处形成垂直方向的电感元件，提高了电感感值和品质因数，缩短了电感元件和芯片的路径，降低了功耗损失，提高了供电效率，减少了路径上的导电材料损耗，同时，电路结构和制作工艺简单且使得电感元件不占用多余的物理资源，提高了系统整体性能。
本实用新型一种堆叠电路结构和集成电路在权利要求书中公布了：1.一种堆叠电路结构，其特征在于，所述堆叠电路结构包括： 形成在所述堆叠电路结构纵向的通孔阵列； 其中，所述通孔阵列包括至少一个第一通孔结构和第二通孔结构，所述第一通孔结构和所述第二通孔结构均匀分布，所述第一通孔结构包括磁通孔以及形成在磁通孔中的金属通孔，所述磁通孔的直径、所述磁通孔中形成的金属通孔的直径、以及所述磁通孔与所述磁通孔中形成的金属通孔的直径差异根据所需的预定电感参数和或电路连接需求确定，所述第二通孔结构为金属通孔结构，以实现不同芯片或其他结构的电连接； 其中，若所述堆叠电路结构为芯片结构，所述磁通孔由在包括衬底层，器件层和金属层的初始芯片结构上钻孔所形成的第一通孔中填充磁性材料后形成。
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