英特尔公司S·N·特丽卡获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利存储设备上的原子跨介质写入获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN109885253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811307776.2,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权存储设备上的原子跨介质写入是由S·N·特丽卡;李鹏;J·B·卡恩;M·勒文设计研发完成,并于2018-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储设备上的原子跨介质写入在说明书摘要公布了:示例包括用于实现对存储设备中的两个或更多个存储器设备的写入事务的技术。在一些示例中,写入事务包括从在计算平台上执行的应用或操作系统到与计算平台耦合的存储设备的原子写入事务。对于这些示例,存储设备包括存储控制器,其用于接收用于写入第一数据和第二数据的原子多介质写入事务请求;同时且原子地使第一数据存储在第一存储器设备中并使第二数据存储在第二存储器设备中。
本发明授权存储设备上的原子跨介质写入在权利要求书中公布了:1.一种用于存储数据的装置,包括: 块可寻址的NAND非易失性存储器设备,所述块可寻址的NAND非易失性存储器设备具有:第一写入速度,以及具有第一写入粒度的第一命名空间; 字节可寻址的3维交叉点非易失性存储器设备,所述字节可寻址的3维交叉点非易失性存储器设备具有:快于所述第一写入速度的第二写入速度,以及具有小于所述第一写入粒度的第二写入粒度的第二命名空间;以及 存储控制器,其包括用于执行以下操作的逻辑: 接收用于写入用户数据和与所述用户数据的存储相关联的元数据的原子多介质写入事务请求;以及 同时且原子地使所述用户数据存储在所述块可寻址的NAND非易失性存储器设备中并使所述元数据存储在所述字节可寻址的3维交叉点非易失性存储器设备中,以及当对所述用户数据的存储或者对所述元数据的存储指示故障时,或者当针对没有断电迫近能力的所述块可寻址的NAND非易失性存储器设备和没有断电迫近能力的所述字节可寻址的3维交叉点非易失性存储器设备中的至少一个发生电力故障时,使对所述用户数据和所述元数据的存储进行回滚。
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