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龙图腾网获悉华宇华源电子科技(深圳)有限公司申请的专利一种DFN器件的封装结构、无引线框架载体及DFN器件的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110473853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910758025.0，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种DFN器件的封装结构、无引线框架载体及DFN器件的封装方法是由张博威设计研发完成，并于2019-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DFN器件的封装结构、无引线框架载体及DFN器件的封装方法在说明书摘要公布了：本发明一种DFN器件的封装结构，包括一种无引线框架载体，载体表面设有多个第一金属焊盘，第一金属焊盘的表面设有第二金属焊盘，第二金属焊盘表面设有焊料层，焊料层连接芯片下焊盘或者键合线一端，键合线另一端连接芯片上焊盘。载体的表面及第一金属焊盘、第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，设有第一塑封层，或者载体的表面及第一金属焊盘的四周，设有第二塑封层、第二塑封层表面及第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，设有第一塑封层。第二金属焊盘的横截面积大于第一金属焊盘的横截面积，或者第二金属焊盘偏出第一金属焊盘一侧。本发明解决了引线框架封装体引脚电极和塑封料在同一平面易虚焊，封装体切割线导致毛刺，框架变形的问题。

本发明授权一种DFN器件的封装结构、无引线框架载体及DFN器件的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种双边扁平无引脚DFN器件的封装方法，其特征在于，按照以下步骤进行： 取一种基材材料，其厚度范围为0.6mm-2.0mm，作为基材层； 在基材层的表面，附着一层具有剥离特性的材料，其厚度范围为0.1μm-20μm，形成可剥层； 在可剥层整个表面以及可剥层和基材层的四周，增加一层金属，其金属的厚度范围为10μm-30μm，形成金属层； 根据芯片的导通电路设计，在金属层表面，通过覆盖光感材料、曝光显影方式，露出需加工的多个金属焊盘，光感材料的厚度范围为30μm-50μm； 通过电镀方式，在金属焊盘上，加工形成多个第一金属焊盘，第一金属焊盘与光感材料的厚度相等； 在第一金属焊盘上，电镀形成第二金属焊盘，通过化学方法退掉光感材料，第二金属焊盘厚度范围为5μm-10μm，且第二金属焊盘尺寸比第一金属焊盘尺寸整体大5μm-10μm以形成纵截面为T型的结构； 在第二金属焊盘上附着一层光感材料，通过曝光显影的方式，生成多个金属焊料的图形； 通过电镀或者化镀方式，完成金属焊料层的加工，然后，通过化学方法去掉多余的光感材料； 通过涂布助焊剂、将芯片下焊盘贴装到有焊料的第二金属焊盘上，加热后完成焊接； 通过超声焊方式，将键合线的一端焊接于其它的第二金属焊盘上，键合线的另一端，焊接于芯片上焊盘上； 将金属层的表面及第一金属焊盘、第二金属焊盘、焊料层、芯片、键合线的四周，进行塑封，完成第一塑封层的封装； 对于已经完成封装的金属层，将器件和金属层从可剥层进行分离，剥离后的基材层可重复再利用； 在器件的底表面，根据器件的结构设计，去除掉多余的金属部分，完成器件焊盘的加工和器件的加工。

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