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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110600067B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910500204.4，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法是由V.冈加萨尼;金武星;罗太熙;辛埈昊设计研发完成，并于2019-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法在说明书摘要公布了：提供了用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法。一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括布置在多个字线和多个位线相交的点处的多个存储器单元；读出放大器，被配置为在存储器设备的读取操作模式中放大连接到多个存储器单元中的选择的存储器单元的选择的字线的电压与参考电压之间的电压差值；和漏电流补偿电路，被连接到选择的存储器单元与读出放大器之间的选择的字线路径并且被配置为在读取操作模式中补偿由连接到选择的字线的未选择的存储器单元生成的总漏电流。

本发明授权用于补偿关闭单元的电流的存储器设备及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括： 存储器单元阵列，包括布置在多个字线和多个位线相交的点处的多个存储器单元，其中所述多个字线中的每一个字线包括全局字线和多个局部字线，其中所述多个位线中的每一个位线包括全局位线和多个局部位线； 读出放大器，被配置为在存储器设备的读取操作模式中放大连接到所述多个存储器单元中的选择的存储器单元的选择的字线的电压与参考电压之间的电压差值；和 漏电流补偿电路，被连接到从所述选择的存储器单元到读出放大器的选择的字线路径，并且被配置为在所述读取操作模式中补偿由连接到所述选择的字线的未选择的存储器单元生成的总漏电流， 其中漏电流补偿电路被连接到所述选择的字线路径上的第一晶体管的栅极并且与第一晶体管一起被配置为电流镜， 其中所述选择的存储器单元的一端被连接到来自所述多个局部字线当中的选择的局部字线，所述选择的局部字线被连接到来自所述多个字线当中的选择的全局字线，并且 其中所述选择的字线路径包括表示从所述选择的存储器单元的一端到所述选择的全局字线的电路径的选择的局部字线路径以及表示从所述选择的全局字线到读出放大器的电路径的选择的全局字线路径。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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