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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010231404.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法是由R.西米尼克;W.延切尔;D.卡默兰德设计研发完成，并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法在说明书摘要公布了：公开了具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法。碳化硅器件500包括具有沟槽栅极结构150的碳化硅本体100，该沟槽栅极结构150从第一表面101延伸到碳化硅本体100中。本体区120与沟槽栅极结构150的有源侧壁151接触。源极区110与有源侧壁151接触，其中源极区110位于本体区120和第一表面101之间。本体区120包括直接在源极区110下方并且远离有源侧壁151的第一本体部分121。在平行于第一表面101的至少一个水平平面中，第一本体部分121中的掺杂剂浓度是在有源侧壁151处的水平平面中的本体区120中的参考掺杂剂浓度的至少150%，并且第一本体部分121的水平延伸w1是本体区120的总水平延伸w0的至少20%。

本发明授权具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造碳化硅器件的方法，所述方法包括： 提供碳化硅本体， 形成从第一表面延伸到碳化硅本体中的沟槽栅极结构， 形成本体区和源极区带，其中在形成沟槽栅极结构、本体区和源极区带之后，本体区和源极区带与沟槽栅极结构的有源侧壁接触，其中源极区带位于本体区和第一表面之间， 在第一表面上形成本体增强注入掩模，其中本体增强注入掩模至少覆盖源极区带的第一源极部分，其中本体增强注入掩模中的开口至少暴露出第一表面的本体接触区，其中第一源极部分邻接有源侧壁， 通过本体增强注入掩模中的开口将掺杂剂注入到本体区的第一本体部分中，其中第一本体部分直接位于源极区带下方并且远离有源侧壁，其中在至少一个水平平面中，第一本体部分中的掺杂剂浓度是在有源侧壁处的本体区中的参考掺杂剂浓度的至少150％，并且第一本体部分的水平延伸是本体区的总水平延伸的至少20％，以及 形成本体区的导电类型的屏蔽区，并且屏蔽区从第一表面延伸到碳化硅本体中，其中屏蔽区在横向上直接邻接源极区和本体区，并且其中屏蔽区与另外的沟槽栅极结构的非有源侧壁接触， 其中在所述至少一个水平平面中使屏蔽区的直接邻接第一本体部分的部分中的横向掺杂剂分布从第一本体部分中的掺杂剂浓度偏离不多于±10％。

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