中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司孙鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010599021.5，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种半导体器件的形成方法是由孙鹏;黄瑾;赵勇设计研发完成，并于2020-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，在基底上形成图案，基底包括图案密集区和图案稀疏区；在图案顶部形成第一阻挡层，并在图案和第一阻挡层周侧形成顶部高于第一阻挡层的顶部的第一介电层；图案稀疏区的第一介电层的顶部低于图案密集区的第一介电层的顶部形成稀疏区凹陷；在第一介电层上形成第二阻挡层；在第二阻挡层上形成阻挡延伸层，并对阻挡延伸层进行研磨处理至与第二阻挡层的顶部平齐；至少刻蚀阻挡延伸层、第二阻挡层和第一介电层至最终目标位置。本申请提高了芯片的均匀度，进而提升了半导体器件的性能。
本发明授权一种半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，在所述基底上形成图案；所述基底包括图案密集区和图案稀疏区； 在所述图案顶部形成第一阻挡层，并在所述图案和所述第一阻挡层周侧形成顶部高于所述第一阻挡层的顶部的第一介电层；所述图案稀疏区的第一介电层的顶部低于所述图案密集区的第一介电层的顶部形成稀疏区凹陷； 在所述第一介电层上形成第二阻挡层； 在所述第二阻挡层上形成阻挡延伸层，并对所述阻挡延伸层进行研磨处理至与所述第二阻挡层的顶部平齐，所述阻挡延伸层包括：在所述第二阻挡层上形成的第三阻挡层以及在所述第三阻挡层上形成的消耗层；形成所述第三阻挡层的方法包括： 在所述第二阻挡层上形成初始第三阻挡层，然后对所述初始第三阻挡层进行研磨处理至第一目标位置以形成所述第三阻挡层； 至少刻蚀所述阻挡延伸层、所述第二阻挡层和所述第一介电层至最终目标位置。
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