长江存储科技有限责任公司张明康获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113892175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003005.8，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权三维存储器件及其形成方法是由张明康设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面，三维3D存储器件包括第一半导体结构和与第一半导体结构键合的第二半导体。第一半导体结构包括NAND存储串阵列、与NAND存储串阵列的源极端接触的半导体层、与半导体层接触的绝缘层、以及在绝缘层中的接触部结构。绝缘层使接触部结构与半导体层电绝缘。第二半导体结构包括晶体管。
本发明授权三维存储器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器件，包括： 第一半导体结构，所述第一半导体结构包括： NAND存储串阵列， 与所述NAND存储串阵列的源极端接触的半导体层， 与所述半导体层接触的绝缘层； 在所述绝缘层中的接触部结构，其中，所述绝缘层使所述接触部结构与所述半导体层电绝缘； 与所述半导体层接触的接触部，其中，所述半导体层位于所述接触部与所述NAND存储串阵列之间；以及 两个或更多个彼此间隔开的接触部层，其中，所述接触部层中的第一接触部层与所述接触部接触，并且所述接触部位于所述半导体层与所述第一接触部层之间；以及 与所述第一半导体结构键合的第二半导体结构，所述第二半导体结构包括晶体管。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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