朗姆研究公司阿鲁尔·N·达斯获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903654B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110950325.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置是由阿鲁尔·N·达斯设计研发完成，并于2016-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置在说明书摘要公布了：本发明涉及最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置。一种最小化在半导体衬底等离子体处理装置中的半导体衬底上进行的沟槽填充工艺期间沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应的方法，该方法包括将半导体衬底支撑在半导体衬底等离子体处理装置的真空室中的基座上。使包括TEOS、氧化剂和氩气的工艺气体流动通过喷头组件的面板进入真空室的处理区域中。RF能量将所述工艺气体激励成等离子体，其中TEOS氧化物膜被沉积在半导体衬底上以便填充其至少一个沟槽。所述氩气以足以增大所述等离子体的电子密度的量供给，使得朝向半导体衬底的中央的TEOS氧化物膜的沉积速度增大，以及在至少一个沟槽中所沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应减小。
本发明授权最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种最小化在半导体衬底等离子体处理装置中的半导体衬底上进行的沟槽填充工艺期间沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应的方法，所述方法包括： 将半导体衬底支撑在所述半导体衬底等离子体处理装置的真空室中的基座上，其中所述半导体衬底包括在其上表面中的至少一个沟槽； 使包括TEOS、氧化剂和氩气的工艺气体流动通过所述半导体衬底等离子体处理装置的喷头组件进入所述真空室的在所述半导体衬底的所述上表面上方的处理区域中； 利用至少一个RF产生器供给RF能量到所述真空室的所述处理区域以将所述工艺气体激励成等离子体；以及 在所述半导体衬底的所述上表面上沉积TEOS氧化物膜以填充其中的所述至少一个沟槽，其中在所述至少一个沟槽中所沉积的TEOS氧化物膜的所述接缝效应通过控制在工艺气体混合物中的氩气的流率而减小。
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