美光科技公司S·S·艾勒特获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器装置中的改进的错误校正的错误高速缓存技术获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114077513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110918389.8,技术领域涉及:G06F11/07;该发明授权用于存储器装置中的改进的错误校正的错误高速缓存技术是由S·S·艾勒特;W·A·梅尔顿;J·埃诺设计研发完成,并于2021-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器装置中的改进的错误校正的错误高速缓存技术在说明书摘要公布了:本申请是针对用于存储器装置中的改进的错误校正的错误高速缓存技术。例如存储器装置的设备可使用错误高速缓存来存储被识别为有缺陷存储器单元的指示,并且可使用所述所存储指示来加强错误校正程序。如果在从存储器阵列读取的数据中检测到一或多个错误,则所述设备可检查所述错误高速缓存,并且如果所述数据的位被指示为与有缺陷单元相关联,则所述位可反转。在此类反转之后,可再次检查所述数据的错误。如果反转校正错误,则所得数据可为无错误的,或可包含可使用错误校正方案校正的数量减少的错误。
本发明授权用于存储器装置中的改进的错误校正的错误高速缓存技术在权利要求书中公布了:1.一种错误校正的方法,其包括: 接收用以从存储器阵列读取数据的命令,所述命令指示与所述存储器阵列内的存储器单元集合相关联的地址; 响应于所述命令而从所述存储器单元集合读取所述数据; 至少部分地基于所指示的所述地址而确定高速缓存是否包含所述存储器单元集合中的存储器单元有缺陷的指示;以及 针对所述数据执行至少部分地基于所述高速缓存是否包含所述指示的用于所述错误校正的程序。
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