株式会社日本显示器山口阳平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日本显示器申请的专利显示装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114207824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080055461.2，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权显示装置及其制造方法是由山口阳平设计研发完成，并于2020-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于抑制晶体管的特性变化。显示装置具有金属层30，其由多个层构成，该多个层中的最下层30L的离子化倾向比中间层30M的离子化倾向低，以最下层30L接触的方式搭载于氧化物半导体层22。各个沟道区域24位于多个第一电极26中的对应的一者与多个第二电极28中的对应的一者之间，构成多个薄膜晶体管14中的对应的一者。氧化物半导体层22在彼此相邻的一对薄膜晶体管14A、14B所包含的一对沟道区域24A、24B之间是连续的。金属层30在彼此相邻的一对薄膜晶体管14A、14B所包含的一对第一电极26A、26B之间是连续的。
本发明授权显示装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有底栅型的多个薄膜晶体管的显示装置，其特征在于，具有： 多个栅极电极； 覆盖所述多个栅极电极的栅极绝缘层； 搭载于所述栅极绝缘层的氧化物半导体层；和 金属层，其由多个层构成，该多个层中的最下层的离子化倾向比中间层的离子化倾向低，所述金属层以所述最下层与所述氧化物半导体层接触的方式搭载于所述氧化物半导体层， 所述氧化物半导体层包含多个沟道区域， 所述金属层包含多个第一电极和多个第二电极， 所述多个沟道区域各自位于所述多个第一电极中的对应的1个第一电极与所述多个第二电极中的对应的1个第二电极之间，构成所述多个薄膜晶体管中的对应的1个薄膜晶体管， 所述氧化物半导体层在彼此相邻的一对所述薄膜晶体管所包含的一对所述沟道区域之间是连续的， 所述金属层在所述彼此相邻的一对所述薄膜晶体管所包含的一对所述第一电极之间是连续的， 所述金属层的所述最下层的膜厚比所述氧化物半导体层的膜厚小， 所述多个薄膜晶体管各自具有比漏极电极和源极电极的任一者的宽度小的沟道宽度，且该沟道宽度在所述漏极电极与所述源极电极之间是均等的。
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