买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海申矽凌微电子科技有限公司申请的专利用于三态输出级的防闩锁电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114499489B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210122444.7，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权用于三态输出级的防闩锁电路及芯片是由董伟忠设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于三态输出级的防闩锁电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于三态输出级的防闩锁电路及芯片，包括三态输出电路，N‑Well电位选择电路和P‑Well电位选择电路；所述三态输出电路上设置有输入端，所述三态输出电路的输出端分别与N‑Well电位选择电路和P‑Well电位选择电路连接。本发明只采用了几个MOS晶体管，在很大程度上降低了电路功耗以及制造成本，通用于三态门输出级电路和反相器输出驱动级电路，可自动进行寄生双极性器件的基极电位选择，防止了寄生环路的形成，从而避免的闩锁效应。

本发明授权用于三态输出级的防闩锁电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种用于三态输出级的防闩锁电路，其特征在于，包括三态输出电路，N-Well电位选择电路和P-Well电位选择电路；所述三态输出电路上设置有输入端，所述三态输出电路的输出端分别与N-Well电位选择电路和P-Well电位选择电路连接； 所述三态输出电路包括mos管M1和mos管M2，所述mos管M1的栅极构成Input1端，所述mos管M1的源极连接Vdd；所述mos管M2的栅极构成Input2端，所述mos管M2的源极连接GND，所述mos管M1的漏极与mos管M2的漏极连接并构成Output端； 所述N-Well电位选择电路包括mos管M3和mos管M4，所述P-Well电位选择电路包括mos管M5和mos管M6； 所述mos管M1的源极分别连接mos管M4的源极和mos管M3的栅极，所述mos管M1的衬底分别连接mos管M3的衬底和漏极以及mos管M4的衬底和漏极； 所述mos管M2的源极分别连接mos管M5的栅极和mos管M6的源极，所述mos管M2的衬底分别连接mos管M5的衬底和漏极以及mos管M6的衬底和漏极； 所述Output端与mos管M3的源极、mos管M4的栅极、mos管M5的源极以及mos管M6的栅极连接； 所述三态输出电路包括寄生PNP三极管、寄生NPN三极管、寄生电阻Rp以及寄生电阻Rn，所述PNP三极管的一个发射极连接Vdd，所述PNP三极管的另一个发射极构成连接Output端，所述PNP三极管的集电极分别连接电阻Rp的一端和NPN三极管的基极，所述电阻Rp的另一端连接P-Well电位选择电路，所述PNP三极管的基极分别连接电阻Rn的一端和NPN三极管的集电极，所述电阻Rn的另一端连接N-Well电位选择电路，所述NPN三极管的一个发射极构成Output端，所述NPN三极管的另一个发射极连接GND端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海申矽凌微电子科技有限公司，其通讯地址为：201108 上海市闵行区虹梅南路2588号1幢A320室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。