英飞凌科技奥地利有限公司E·菲尔古特获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利具有在任一侧到器件的电通路的多器件半导体芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114553203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111330663.6，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权具有在任一侧到器件的电通路的多器件半导体芯片是由E·菲尔古特;P·弗里德里希斯;R·奥特伦巴;H-J·舒尔策设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有在任一侧到器件的电通路的多器件半导体芯片在说明书摘要公布了：一种半导体芯片，包括：具有主表面和与主表面相对的后表面的半导体主体；设置在主表面上的第一接合焊盘；设置在后表面上的第二接合焊盘；第一开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第一接合焊盘的第一输入‑输出端子；以及第二开关器件，单片集成在半导体主体中并且具有电连接到第二接合焊盘的第一输入‑输出端子。
本发明授权具有在任一侧到器件的电通路的多器件半导体芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，包括： 半导体主体，包括主表面和与所述主表面相对的后表面； 第一接合焊盘，设置在所述主表面上； 第二接合焊盘，设置在所述后表面上； 第一开关器件，单片集成在所述半导体主体中并包括电连接到所述第一接合焊盘的第一输入-输出端子；以及 第二开关器件，单片集成在所述半导体主体中并且包括电连接到所述第二接合焊盘的第一输入-输出端子， 其中，所述第一开关器件和所述第二开关器件形成串联连接在所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘之间的双向开关电路， 其中，所述第一开关器件和所述第二开关器件各自被配置为功率晶体管， 其中，所述第一开关器件和所述第二开关器件各自被配置为基于碳化硅的MOSFET器件或基于碳化硅的IGBT，并且 其中，所述第一开关器件的源极区邻接所述半导体主体的硅终止表面，并且其中，所述第二开关器件的源极区邻接所述半导体主体的碳终止表面。
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