意法半导体股份有限公司C·索玛获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及其对应方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446692.9，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体器件及其对应方法是由C·索玛;A·桑纳;D·哈利茨基设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其对应方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件及其对应方法。半导体裸片安装在包括导电焊球阵列的焊球栅格阵列封装的裸片区域。电源通道将电源电流传送到半导体裸片。电源通道由在封装外围的远端和裸片区域的近端之间在纵向方向上延伸的导电连接平面层形成。所述导电焊球沿纵向分布。导电连接平面层包括在分布的相邻导电焊球之间纵向上的后续部分。后续部分的相应电阻值从远端到近端单调地减小。因此有助于电源电流在电源通道长度上的均匀分布。
本发明授权半导体器件及其对应方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体裸片，安装在封装的裸片区域处，所述封装具有为所述半导体裸片提供电触点的导电焊球阵列；以及 功率通道，用于将电源电流传送到所述半导体裸片； 其中，所述功率通道包括： 至少一个导电连接平面层，在所述封装外围的远端与所述封装的所述裸片区域的近端之间在所述导电连接平面层的纵向方向上延伸；以及 导电焊球的分布，被布置为沿所述导电连接平面层的所述纵向方向分布； 所述导电连接平面层包括在所述分布中的相邻导电焊球之间的所述纵向方向上的后续部分； 其中，所述后续部分具有相应电阻值，其中所述相应电阻值从所述导电连接平面层的所述远端到所述近端减小。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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