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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有交叉式阵列结构的神经形态设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080078408.4，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权具有交叉式阵列结构的神经形态设备是由T.博恩斯廷格;A.潘塔济;E.S.埃利夫希里奥设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有交叉式阵列结构的神经形态设备在说明书摘要公布了：提供了神经形态方法、系统和设备10、11、12。实施例可包括神经形态设备10、11、12，其可包括交叉式阵列结构110和模拟电路。该交叉式阵列结构110可以包括经由N×M个电子设备131、132、32a、132b、132c在联结处互连的N个输入线111、112和M个输出线120，在优选实施例中，电子设备各自包括忆阻设备。输入线可包括N1个第一输入线111和N2个第二输入线112。第一输入线111可以经由所述电子设备131、132的N1×M个第一设备131、132连接至M个输出线120。类似地，第二输入线112可以经由所述电子设备131、132的N2×M个第二设备132连接至M个输出线120。模拟电路140、150、160、170可被配置为编程电子设备131、132，使得第一设备131存储突触权重，并且第二设备132存储神经元状态。

本发明授权具有交叉式阵列结构的神经形态设备在权利要求书中公布了：1.一种神经形态设备，包括： 交叉式阵列结构，所述交叉式阵列结构包括经由N×M个电子设备在联结处互连的N个输入线和M个输出线，其中所述输入线包括N1个第一输入线和N2个第二输入线，所述N1个第一输入线和所述N2个第二输入线分别经由所述电子设备的N1×M个第一设备和所述电子设备的N2×M个第二设备连接至所述M个输出线，其中N1≥1，N2≥1，N1+N2＝N，并且M≥1，其中所述N1×M个第一设备可操作用于存储突触权重值，并且所述N2×M个第二设备可操作用于存储神经元状态值，并且其中所述N2个第二输入线包括经由M个给定电子设备连接至所述输出线的给定控制线，其中所述M个给定电子设备能由所述模拟电路编程以存储M个初始膜电位值；以及 模拟电路，所述模拟电路被配置为： 将所述突触权重值存储在所述第一设备上并且将所述神经元状态值存储在所述第二设备上； 在相同的忆阻交叉式阵列中将神经元状态实施为突触； 在操作中，基于耦合到所述第一输入线中的N1个输入信号、耦合到所述第二输入线中的N2个控制信号以及存储在所述第一设备和所述第二设备中的每一者上的值，根据乘法累加操作来读出分别从所述M个输出线获得的M个输出信号； 读出的所述M个输出信号表示M个最终膜电位值，所述M个最终膜电位值基于所述M个初始膜电位值获得，作为在操作中通过将所述N1个输入信号耦合到所述N1个第一输入线中获得的突触输入的泄漏积分器；并且 在操作中通过根据表示由所述模拟电路先前读出的M个最终膜电位值的M个输出信号对这种设备重新编程来更新存储在所述M个给定电子设备上的膜电位值。

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