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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板、显示面板及显示终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210513793.1，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板、显示面板及显示终端是由龙时宇设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、显示面板及显示终端在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示终端，阵列基板包括：衬底；第一有源层，位于衬底上方；第一金属层，位于第一有源层上方；第一金属层包括源极及第一栅极；源极与第一有源层的一端电连接，第一栅极与所述第一有源层位置相对；第二有源层，位于第一金属层上方；第二有源层与第一有源层电连接，所述第一栅极与所述第二有源层位置相对；及第二金属层，位于第二有源层的上方；第二金属层包括漏极，所述漏极与所述第二有源层电连接。本申请提供的阵列基板、显示面板及显示终端够增加有源层的沟道长度，进而提升器件稳定性。

本发明授权阵列基板、显示面板及显示终端在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 第一有源层，位于所述衬底上方；所述第一有源层包括第一源区、第一漏区及位于第一源区和第一漏区之间的第一沟道区； 第一金属层，位于所述第一有源层上方；所述第一金属层包括源极及第一栅极；所述源极与所述第一有源层的第一源区电连接，所述第一栅极与所述第一有源层的第一沟道区位置相对； 第二有源层，位于所述第一金属层上方且与所述第一有源层位置相对；所述第二有源层包括第二源区、第二漏区及位于第二源区和第二漏区之间的第二沟道区；所述第二有源层的第二源区与所述第一有源层的第一漏区电连接，所述第一栅极与所述第二有源层的第二沟道区位置相对；及 第二金属层，位于所述第二有源层的上方；所述第二金属层包括漏极，所述漏极与所述第二有源层的第二漏区电连接； 所述阵列基板还包括信号线及屏蔽层，所述信号线形成在所述衬底上，所述第一有源层在所述信号线上的投影落在所述信号线内，所述源极与所述信号线电连接；所述屏蔽层形成在所述信号线与所述第一有源层之间；所述阵列基板还包括第三金属层，所述第三金属层包括第一信号端子，所述第一信号端子与所述屏蔽层电连接。

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