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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利通过使用选择性沉积金属衬垫的混合晶片接合来形成的接合组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114766061B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006685.9，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权通过使用选择性沉积金属衬垫的混合晶片接合来形成的接合组件是由侯琳;P·拉布金;陈杨胤;东谷政昭设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本通过使用选择性沉积金属衬垫的混合晶片接合来形成的接合组件在说明书摘要公布了：包括自组装材料的成核抑制层可形成在接合介电层的表面上，而不会将该自组装材料沉积在第一半导体管芯的第一金属接合垫的物理暴露表面上。包括第二金属的金属衬垫可形成在该金属接合垫的该物理暴露表面上，而不会将该第二金属沉积在该成核抑制层上。通过在第二半导体管芯的该第一金属接合垫和该第二金属接合垫的配合对之间诱导金属到金属接合来将该第一半导体管芯接合到该第二半导体管芯。

本发明授权通过使用选择性沉积金属衬垫的混合晶片接合来形成的接合组件在权利要求书中公布了：1.一种形成接合组件的方法，包括： 提供第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括第一半导体器件、第一接合介电层和第一金属接合垫，所述第一金属接合垫包括第一金属，所述第一金属接合垫电连接到所述第一半导体器件的相应节点，并且嵌入在所述第一接合介电层中； 将包括自组装材料的第一成核抑制层选择性地沉积在所述第一接合介电层的表面上，而不会将所述自组装材料沉积在所述第一金属接合垫的物理暴露表面上； 将包括第二金属的第一金属衬垫选择性地沉积在所述第一金属接合垫的所述物理暴露表面上，而不会将所述第二金属沉积在所述第一成核抑制层上； 提供第二半导体管芯，所述第二半导体管芯包括第二半导体器件、第二接合介电层和第二金属接合垫，所述第二金属接合垫电连接到所述第二半导体器件的相应节点，并且嵌入在所述第二接合介电层中； 将包括附加自组装材料的第二成核抑制层选择性地沉积在所述第二接合介电层的表面上，而不会将所述附加自组装材料沉积在所述第二金属接合垫的物理暴露表面上； 将包括第三金属的第二金属衬垫选择性地沉积在所述第二金属接合垫的所述物理暴露表面上，而不会将所述第三金属沉积在所述第二成核抑制层上，其中所述第三金属不同于所述第一金属，并且与所述第二金属相同或不同； 通过在所述第一金属接合垫和所述第二金属接合垫的每个配合对之间诱导金属到金属接合，将所述第二金属接合垫与所述第一金属接合垫接合；以及 形成界面介电区，所述界面介电区位于所述第一接合介电层与所述第二接合介电层之间的界面处，其中所述界面介电区包括处于平均原子浓度的碳原子，所述平均原子浓度大于所述第一接合介电层中的碳的平均原子浓度的两倍并且大于所述第二接合介电层中的碳的平均原子浓度的两倍。

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