苏州紫灿科技有限公司张骏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州紫灿科技有限公司申请的专利一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036401B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210675845.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法是由张骏;张毅;岳金顺;陈长清设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法，该深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、调制量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；沿电流扩展层至电子阻挡层的方向，调制量子阱有源层包括依次层叠布置的第一势垒层、非掺杂势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层与非掺杂势垒层的Al组分百分数相同，第一势垒层的Al组分百分数大于第二势垒层的Al组分百分数。本发明通过对量子阱有源层进行调制设置，由第一势垒层、非掺杂势垒层、势阱层和第二势垒层形成特定的单量子阱结构，改善了电子和空穴向量子阱中的注入效率，提高了器件的发光效率。
本发明授权一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有单量子阱结构的深紫外LED，其特征在于，所述具有单量子阱结构的深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、调制量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层； 沿所述电流扩展层至所述电子阻挡层的方向，所述调制量子阱有源层包括依次层叠布置的第一势垒层、非掺杂势垒层、势阱层和第二势垒层，所述第一势垒层与非掺杂势垒层的Al组分百分数相同，所述第一势垒层的Al组分百分数大于所述第二势垒层的Al组分百分数； 其中，所述第一势垒层为单层AlGaN掺杂结构，所述非掺杂势垒层为单层AlGaN不掺杂结构，所述第一势垒层、所述非掺杂势垒层以及所述第二势垒层的厚度关系满足：H1≥2*H2，H1+H2≥2*b，H1为所述第一势垒层的厚度，H2为非掺杂势垒层的厚度，b为所述第二势垒层的厚度。
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