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龙图腾网获悉苏州伟创电气科技股份有限公司申请的专利一种快速RAM检测方法、系统、检测设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132262B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210604840.3，技术领域涉及：G11C29/10；该发明授权一种快速RAM检测方法、系统、检测设备及存储介质是由任家波;罗建鑫;严业豪设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速RAM检测方法、系统、检测设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种快速RAM检测方法、系统、检测设备及存储介质，所述方法包括：在MCU上电时，以第一数量的字节为单位对RAM的内存空间进行RAM检测，得到RAM检测结果，所述第一数量为预先根据运行内存空间和字节的长度确定的；基于所述RAM检测结果，确定所述MCU对应的上电结果。通过再MCU上电时，对RAM内存空间数据按照第一数量的字节为检测单位进行RAM检测，完成对RAM内存空间的快速RAM检测。由此，可以实现缩短检测时间，并且保持故障覆盖率不变的技术效果。

本发明授权一种快速RAM检测方法、系统、检测设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种快速RAM检测方法，其特征在于，包括： 在MCU上电时，以第一数量的字节为单位对RAM的内存空间进行RAM检测，得到RAM检测结果，所述第一数量为预先根据运行内存空间和字节的长度确定的； 基于所述RAM检测结果，确定所述MCU对应的上电结果； 所述以第一数量的字节为单位对RAM的内存空间进行RAM检测，包括： 通过预先设定的五个检测步骤，对RAM的内存空间进行RAM检测；所述五个检测步骤，具体如下： 在第一检测步骤中，依据诊断相邻比特位的检测规则，以所述第一数量的字节为单位，对所述RAM的内存空间进行RAM检测； 在第二检测步骤中，依据诊断间隔1位比特位的检测规则，以所述第一数量的字节为单位，对所述RAM的内存空间进行RAM检测； 在第三检测步骤中，依据诊断间隔2位比特位的检测原则，以所述第一数量的字节为单位，对所述RAM的内存空间进行RAM检测； 在第四检测步骤中，依据诊断间隔3位比特位的检测规则，以所述第一数量的字节为单位，对所述RAM的内存空间进行RAM检测； 在第五检测步骤中，依据复位检测规则，以所述第一数量的字节为单位，对所述RAM的内存空间进行RAM检测； 对所述RAM检测结果进行校验； 在所述RAM检测结果为成功时，每隔预设时间，以第二数量的字节为单位对RAM的内存空间进行RAM检测，其中，所述第二数量小于所述第一数量，且，所述第二数量为预先根据运行内存空间和字节的长度确定的； 在所述RAM检测结果为失败时，对所述MCU进行断电处理； 和， 在所述RAM检测结果为失败时，展示所述RAM检测结果。

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