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龙图腾网获悉上海美维科技有限公司申请的专利基于有机载板与RDL的堆叠型封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211085247.9，技术领域涉及：H01L23/14；该发明授权基于有机载板与RDL的堆叠型封装结构及制备方法是由颜国秋;上官昌平;查晓刚;王建彬;付海涛;李君红;杜玲玲设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于有机载板与RDL的堆叠型封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明的基于有机载板与RDL的堆叠型封装结构及制备方法，将有机载板与第一RDL复合层及第二RDL复合层相结合，将第一芯片容置于有机载板中并与第一RDL复合层电连接，第二芯片与第一RDL复合层电连接，且第一RDL复合层结合有机载板与第二RDL复合层电连接，以通过锡球进行电性引出。本发明适用于大面积制造，可提高产能，降低成本，提高设计灵活性，提高封装可靠性，降低封装厚度，减小热阻，缩短互连路径，实现致密化、精细化、灵活化封装，使信号传输更快，提高适用范围。

本发明授权基于有机载板与RDL的堆叠型封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于有机载板与RDL的堆叠型封装结构，其特征在于，所述封装结构包括： 有机载板，所述有机载板包括第一表面及相对的第二表面，所述有机载板包括有机芯层及位于所述有机芯层的相对两面且相互电连接的金属层，所述有机载板中具有贯通槽； 第一芯片，所述第一芯片置于所述贯通槽中，且所述第一芯片的焊盘与所述有机载板的第一表面位于同一侧，所述第一芯片的焊盘与位于所述有机载板的第一表面的所述金属层位于同一平面； 第一RDL复合层，所述第一RDL复合层位于所述有机载板的第一面上，所述第一RDL复合层中包括第一绝缘介质层及第一金属连接层，且所述第一金属连接层与所述第一芯片的焊盘及所述有机载板的金属层电连接，所述第一金属连接层的线宽≥1μm，所述第一金属连接层的线间距≥1μm； 第二RDL复合层，所述第二RDL复合层位于所述有机载板的第二面上，所述第二RDL复合层中包括第二绝缘介质层及第二金属连接层，所述第二绝缘介质层填充所述贯通槽，且覆盖所述第一芯片及所述有机载板的第二表面，所述第二绝缘介质层为散热材料，所述第二金属连接层与所述有机载板的金属层电连接，所述第二金属连接层的线宽≥1μm，所述第二金属连接层的线间距≥1μm； 第二芯片，所述第二芯片位于所述第一RDL复合层上，且所述第二芯片与所述第一金属连接层电连接； 封装层，所述封装层位于所述第一RDL复合层上，覆盖所述第一RDL复合层且包覆所述第二芯片； 阻焊层，所述阻焊层位于所述第二RDL复合层上，覆盖所述第二RDL复合层且所述阻焊层中具有显露所述第二金属连接层的凹槽； 锡球，所述锡球位于所述凹槽中，且所述锡球的一端与所述第二金属连接层电连接，另一端显露于所述阻焊层。

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