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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346868B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210897146.5，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法是由朱景春;李海涛;高玉波;李传峰设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法在说明书摘要公布了：提供一种氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法。氧化钒薄膜的刻蚀方法包括：提供包括衬底及氮化硅的基底模块，氮化硅设在衬底上；设掩膜；图形化设光刻胶；采用电感耦合等离子刻蚀利用CF基气体和Ar气体刻蚀露出的掩膜，以形成浅槽，浅槽底面为氧化钒薄膜的顶面，浅槽侧面为斜面；采用电感耦合等离子刻蚀利用Cl基气体和Ar气体去除暴露的氧化钒薄膜、使浅槽的侧面被刻蚀而更倒地倾斜、直到刻蚀进入氮化硅，以形成刻蚀槽，刻蚀槽底壁由氮化硅构成，刻蚀槽侧壁由氧化钒和氮化硅构成，刻蚀槽的侧壁与经过再刻蚀的侧面连续共面，底壁与侧壁的夹角为65°以下；去除光刻胶，以形成器件模块。半导体器件的镀膜方法包括沿器件模块的刻蚀槽镀膜。

本发明授权氧化钒薄膜的刻蚀方法以及半导体器件的镀膜方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化钒薄膜的刻蚀方法，其特征在于，包括： 步骤一，提供基底模块1，基底模块1包括衬底11以及氮化硅12，氮化硅12设置在衬底11上，氧化钒薄膜13直接全部覆盖在氮化硅12上； 步骤二，设置非金属氮化物的掩膜2，以使掩膜2覆盖整个氧化钒薄膜13； 步骤三，图形化设置光刻胶3，以使光刻胶3露出部分的掩膜2； 步骤四，第一刻蚀，采用电感耦合等离子ICP刻蚀利用CF基气体和Ar气体刻蚀图案化的光刻胶3露出的掩膜2，以形成浅槽4，浅槽4的顶部开口，浅槽4的底面为氧化钒薄膜13的顶面，浅槽4的侧面41为斜面； 步骤五，第二刻蚀，采用电感耦合等离子刻蚀利用Cl基气体和Ar气体去除暴露在浅槽4内的氧化钒薄膜13、同时第二刻蚀使浅槽4的侧面41被刻蚀而更倒地倾斜、直到刻蚀深度进入与氧化钒薄膜13相邻的氮化硅12的表面下方，以形成刻蚀槽5，刻蚀槽5的底壁51由氮化硅12构成，刻蚀槽5的侧壁52由氧化钒和氧化钒下方的氮化硅12构成，刻蚀槽5的侧壁52与浅槽4的经过第二刻蚀的侧面41连续共面，刻蚀槽5的底壁51与刻蚀槽5的侧壁52的夹角θ为65°以下； 步骤六，将光刻胶3去除，以形成器件模块100； 其中， 在步骤四中：电感耦合等离子刻蚀采用射频源；射频源的上电极的功率为800-1200W，射频源的下电极的功率为120-200W；CF基气体为CF4和CHF3；CF4的流量为50-90sccm，CHF3的流量为40-60sccm，Ar气体的流量为40-80sccm；CF4、CHF3、Ar在第一刻蚀中形成的压力为8-12mT；第一刻蚀的工艺时间为10-20s；成为斜面的侧面41与氧化钒薄膜13的顶面的夹角为75°以下； 在步骤五中：电感耦合等离子刻蚀采用射频源；射频源的上电极的功率为100-400W，射频源的下电极的功率为50-200W；Cl基气体为氯气，氯气的流量为20-200sccm，Ar气体的流量为20-80sccm；氯气和Ar形成在刻蚀中形成的压力为8-14mT。

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