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龙图腾网获悉北京航空航天大学杭州创新研究院申请的专利一种新型自旋太赫兹发射器及其调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115395346B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210881710.4，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种新型自旋太赫兹发射器及其调控方法是由张婕;聂天晓;杨晴;白月设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型自旋太赫兹发射器及其调控方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种新型自旋太赫兹发射器及其调控方法，自旋太赫兹发射结构包括：电极、以及由下至上依次排列的衬底层、第一拓扑材料层、第一铁磁材料层、势垒层、第二拓扑材料层和第二铁磁材料层，第一、第二拓扑材料层包括拓扑绝缘体以及拓扑半金属，电极用于向所述第一拓扑材料层输入电流。新型自旋太赫兹发射器的调控方法包括：通过电极向第一拓扑材料层输入电流，通过改变通入电流的极性和大小，改变第一铁磁材料层的磁矩方向，进而对自旋太赫兹进行开关超快调控，丰富了现有技术中自旋太赫兹发射器的类型以及对自旋太赫兹开关的调控手段。

本发明授权一种新型自旋太赫兹发射器及其调控方法在权利要求书中公布了：1.一种自旋太赫兹发射器，其特征在于，自旋太赫兹发射结构包括：电极、以及由下至上依次排列的衬底层、第一拓扑材料层、第一铁磁材料层、势垒层、第二拓扑材料层和第二铁磁材料层；所述第一拓扑材料层、第二拓扑材料层包括拓扑绝缘体以及拓扑半金属，所述电极用于向所述第一拓扑材料层输入电流或向所述衬底层施加电压；所述自旋太赫兹发射结构还包括排列在所述第二铁磁材料层上方的反铁磁钉扎层；所述第一拓扑材料层、第一铁磁材料层、势垒层、第二拓扑材料层和第二铁磁材料层均含有范德华材料； 通过向第一拓扑材料层通入一定大小、指定极性的电流，在该电流的作用下，第一铁磁材料层和第二铁磁材料层产生方向平行的磁矩，此时，第一铁磁材料层与第二铁磁材料层辐射出的太赫兹方向相同，两个太赫兹信号相互叠加，太赫兹幅度最大，存在太赫兹的波形和相位，实现对新型自旋太赫兹发射器的开启； 当需要关闭新型自旋太赫兹发射器时，通过向第一拓扑材料层通入与上述电流极性相反的电流，并在该电流的幅值增大的一定大小时，第一铁磁材料层的磁矩方向发生瞬间翻转，与第二铁磁材料层磁矩方向反平行，此时，第一铁磁材料层与第二铁磁材料层辐射出的太赫兹方向相反，两个太赫兹信号相互抵消，太赫兹幅度最小，太赫兹的波形和相位趋近于零，实现对新型自旋太赫兹发射器的关闭； 由开启到关闭的调节过程是通过磁矩的瞬间翻转实现的。

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