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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种低功耗低噪声高线性的仪表跨导放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115412030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210948010.2，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权一种低功耗低噪声高线性的仪表跨导放大器是由陈铭易;匡佳钰设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗低噪声高线性的仪表跨导放大器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低功耗低噪声高线性的仪表跨导放大器，包括互补输入对、自适应偏置电路和偏置电流源；所述互补输入对由互补输入差分对和源极负反馈结构组成；所述源极负反馈结构使得所述互补输入差分对的等效源级负反馈电阻值与所述互补输入差分对两个输入信号之差Vid的大小相关，在Vid较小的时候提升所述互补输入对线性度，在Vid较大的时候避免所述互补输入对产生电流饱和；所述互补输入对由自适应偏置电路进行偏置，在实现低静态功耗的同时能在所述互补输入对输入信号变化时产生相应的动态电流，实现低功耗低噪声高线性；所述偏置电流源用于提供所述自适应偏置电路的偏置电流。有益效果是线性度高、支持轨到轨输入、满足低功耗低噪声应用。

本发明授权一种低功耗低噪声高线性的仪表跨导放大器在权利要求书中公布了：1.一种低功耗低噪声高线性的仪表跨导放大器，其特征在于：包括互补输入对1、自适应偏置电路2和偏置电流源3；所述互补输入对1由基于金属氧化物半导体场效应晶体管的互补输入差分对11和基于金属氧化物半导体场效应晶体管的源极负反馈结构12组成；所述源极负反馈结构12使得所述互补输入差分对11的等效源级负反馈电阻值与所述互补输入差分对11两个输入信号Vip、Vin之差Vid的大小相关，在Vid较小的时候提升所述互补输入对1线性度，在Vid较大的时候避免所述互补输入对1产生电流饱和；所述互补输入对1由自适应偏置电路2进行偏置，在实现低静态功耗的同时能在所述互补输入对1输入信号Vip、Vin变化时产生相应的动态电流，实现低功耗低噪声高线性；所述偏置电流源3用于提供所述自适应偏置电路2的偏置电流； 所述互补输入差分对11由两个沟道长度相同宽度相同的P型金属氧化物半导体场效应晶体管M1、M2和两个沟道长度相同宽度相同的N型金属氧化物半导体场效应晶体管M3、M4构成，M1和M3的栅极相连作为电压信号Vip输入端，M1和M3的漏极相连作为电流信号Ion输出端，M2和M4的栅极相连作为电压信号Vin输入端，M2和M4的漏极相连作为电流信号Iop输出端；所述源极负反馈结构12由两个沟道长度相同宽度相同的P型金属氧化物半导体场效应晶体管M5、M6，两个沟道长度相同宽度相同的N型金属氧化物半导体场效应晶体管M7、M8和四个长度相同宽度相同的电阻R1、R2、R3、R4构成，M5的漏极和栅极分别与M1的源极和栅极相连，R1的一端与M5的漏极相连、另一端与M5的源极相连，M6的漏极和栅极分别与M2的源极和栅极相连，R2的一端与M6的漏极相连、另一端与M6的源极相连，M7的漏极和栅极分别与M3的源极和栅极相连，R3的一端与M7的漏极相连、另一端与M7的源极相连，M8的漏极和栅极分别与M4的源极和栅极相连，R4的一端与M8的漏极相连、另一端与M8的源极相连； 所述自适应偏置电路2由共偏置翻转电压跟随器21和平衡电阻22组成；所述自适应偏置电路2用于提供极低的静态电流、以及在输入信号Vip、Vin变化时产生相应的动态电流；所述共偏置翻转电压跟随器21的偏置电流与所述互补输入对1的电流成比例，用于在Vid较小的时候提升所述互补输入对1线性度；所述平衡电阻22在静态时没有电流，使得所述仪表跨导放大器更好地容忍工艺波动带来的影响。

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