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龙图腾网获悉株式会社电装申请的专利半导体装置及半导体模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115428145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180028696.7，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权半导体装置及半导体模组是由中野贵博;大泽青吾;大仓康嗣;水野直仁;犬塚仁浩设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体模组在说明书摘要公布了：半导体装置具备半导体元件11、与半导体元件的背面11b侧接合的导电体10和将半导体元件的侧面11c及导电体的一部分覆盖的密封件12。半导体装置具备再布线层15，该再布线层具有将半导体元件的表面11a及密封件的一部分覆盖的绝缘层151、与半导体元件连接的第1电极13及第2电极14、将第1电极中的从绝缘层露出的部分覆盖的导电性的第1外部露出层152、和将第2电极中的从绝缘层露出的部分覆盖的导电性的第2外部露出层153。第2电极的与半导体元件相反的一侧的端部延伸设置到再布线层中的半导体元件的外轮廓外侧的位置。第2外部露出层将第2电极中的位于半导体元件的外轮廓外侧的一部分区域覆盖。导电体的与半导体元件的背面接合的上表面10a的相反侧的下表面10b从密封件露出。

本发明授权半导体装置及半导体模组在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具备： 半导体元件； 导电体，与上述半导体元件的背面的一侧接合； 密封件，将上述半导体元件的侧面及上述导电体的一部分覆盖；以及 再布线层，具有将上述半导体元件的表面及上述密封件的一部分覆盖的绝缘层、与上述半导体元件连接的第1电极及第2电极、将上述第1电极中的从上述绝缘层露出的部分覆盖的具有导电性的第1外部露出层、以及将上述第2电极中的从上述绝缘层露出的部分覆盖的具有导电性的第2外部露出层； 上述第2电极的与上述半导体元件相反的一侧的端部延伸设置到上述再布线层中的比上述半导体元件的外轮廓靠外侧的位置； 上述第2外部露出层将上述第2电极中的比上述半导体元件的外轮廓靠外侧的一部分区域覆盖； 上述半导体元件的上述背面的整个区域比上述导电体的外轮廓靠内侧； 上述导电体的俯视时的平面尺寸比上述半导体元件大，上述导电体由金属烧结体构成，上述导电体的与上述半导体元件的上述背面相接合的上表面的相反侧的下表面从上述密封件露出； 将上述导电体中的比上述半导体元件的外轮廓靠外侧的部分做成突出部，上述突出部至少具有与最表面相连的微米级以下的多个空隙，上述突出部的密度比上述导电体的其余部分低。

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