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龙图腾网获悉深圳市汇德科技有限公司申请的专利一种半导体集成电路的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211421804.X，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体集成电路的制造方法是由杨勇;毛宗谦设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体集成电路的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体集成电路的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的半导体衬底和轻掺杂的外延层，所述硬掩模介质层包括第一氧化硅、氮化硅、第二氧化硅；以硬掩模介质层为阻挡层，采用光刻、刻蚀的工艺方法，在半导体基片上形成第一沟槽和第二沟槽；淀积第三氧化硅；采用化学机械研磨的工艺方法，去除高出所述氮化硅的上表面的第二氧化硅和第三氧化硅，随后去除所述氮化硅；本发明公开的一种半导体集成电路的制造方法具有完全消除了传统制造方法中存在的高台阶问题等优点。

本发明授权一种半导体集成电路的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体集成电路的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的半导体衬底和轻掺杂的外延层，所述硬掩模介质层包括第一氧化硅、氮化硅、第二氧化硅； 以硬掩模介质层为阻挡层，采用光刻、刻蚀的工艺方法，在半导体基片上形成第一沟槽和第二沟槽； 淀积第三氧化硅； 采用化学机械研磨的工艺方法，去除高出所述氮化硅的上表面的第二氧化硅和第三氧化硅，随后去除所述氮化硅； 采用光刻、腐蚀的工艺方法，以光刻胶作为阻挡层，去除第一沟槽之外区域的第三氧化硅和第一氧化硅，保留第一沟槽底部及侧壁的第三氧化硅，随后去除所述光刻胶； 采用热氧化工艺，生长第四氧化硅；随后采用腐蚀的方法，去除第四氧化硅； 采用热氧化工艺，生长第五氧化硅，淀积多晶硅，对多晶硅第一次离子注入掺杂，形成第一掺杂多晶硅； 采用光刻、离子注入的工艺方法，以光刻胶作为阻挡层，对部分区域的多晶硅第二次离子注入掺杂，形成第二掺杂多晶硅； 去除光刻胶，高温退火，使得第一离子注入掺杂和第二注入掺杂的掺杂物向多晶硅底部扩散，将所述多晶硅扩透； 采用化学机械研磨的工艺方法，去除高出所述第五氧化硅的上表面的第一掺杂多晶硅和第二掺杂多晶硅，保留第一沟槽中的第一掺杂多晶硅、保留第二沟槽中的第二掺杂多晶硅； 离子注入随后退火形成体区； 采用光刻、离子注入、退火的工艺方法，形成源区，以及同步在第一掺杂多晶硅的设定区域形成第三掺杂多晶硅。

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