中国科学院半导体研究所何力获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利应用于惰性气体注入损伤晶体材料的重结晶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115595670B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211318594.1，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权应用于惰性气体注入损伤晶体材料的重结晶方法是由何力;骆军委;温书育;朱元昊设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于惰性气体注入损伤晶体材料的重结晶方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶体材料的重结晶方法，包括：在晶体材料的表面沉积一层覆盖层；使用脉冲激光对所述晶体材料沉积有覆盖层的一面进行辐照，使所述晶体材料受热冷却结晶，在所述晶体材料靠近所述覆盖层的一侧形成重结晶层；刻蚀掉所述晶体材料表面的覆盖层，露出所述重结晶层。本发明通过向晶体材料表面预沉积覆盖层并使用脉冲激光退火处理晶体材料，实现晶体材料的高质量再生并有效抑制掺杂原子损失问题。
本发明授权应用于惰性气体注入损伤晶体材料的重结晶方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于惰性气体注入损伤晶体材料的重结晶方法，包括： 在晶体材料的表面沉积一层厚度为10nm-50nm的二氧化硅或氮化硅或氧化铝，形成覆盖层；所述覆盖层用于抑制气泡的扩散逃逸现象，以及，缓解高温熔融层的表面蒸发作用； 使用脉冲激光对所述晶体材料沉积有覆盖层的一面进行辐照，使所述晶体材料受热冷却结晶，在所述晶体材料靠近所述覆盖层的一侧形成重结晶层；其中，当使用脉冲激光对所述晶体材料沉积有覆盖层的一面进行辐照时，通过调节所述脉冲激光的参数，使所述晶体材料的熔化深度大于气泡层或晶格损伤层的深度；所述气泡层是通过向晶体材料中注入惰性气体的方式形成； 刻蚀掉所述晶体材料表面的覆盖层，露出所述重结晶层。
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